- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄381444 > AT28LV010-20JI (ATMEL CORP) 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT28LV010-20JI |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20JI |
AT28LV010-20
AT28LV010-25
Symbol
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred
first
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
200
200
80
55
250
250
100
60
0
0
0
0
t
OH
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28LV010
2-159
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28LV010-20PC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-20PI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-20TC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-20TI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28LV010-20JU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28LV010-20JU SL319 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:PARALLEL EEPROM, 1M (128K X 8), 3V, SDP - 200NS, PLCC, IND T - Tape and Reel |
| AT28LV010-20JU SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM Parallel 1M-bit 128K x 8 3.3V 32-Pin PLCC T/R 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM PARALLEL 1MBIT 128KX8 3.3V 32PLCC - Tape and Reel 制造商:Atmel 功能描述:EEPROM Parallel 1M-bit 128K x 8 3.3V 32-Pin PLCC T/R |
| AT28LV010-20JU-051 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲(chǔ)容量:1Mb （128K x 8） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):10ms 訪問(wèn)時(shí)間:200ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:32-LCC（J 形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:32-PLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:32 |
| AT28LV010-20JU-235 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32PLCC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲(chǔ)容量:1Mb （128K x 8） 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):10ms 訪問(wèn)時(shí)間:200ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:32-LCC（J 形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:32-PLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。