參數(shù)資料
型號(hào)： AT28HC256E-12TC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
中文描述： 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28
封裝： PLASTIC, MO-183, TSOP1-28
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 445K
代理商： AT28HC256E-12TC
AT28HC256
12
Note:
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90
80
0.3
5962-88634 03 UX
5962-88634 03 XX
5962-88634 03 YX
5962-88634 03 ZX
5962-88634 04 UX
5962-88634 04 XX
5962-88634 04 YX
5962-88634 04 ZX
5962-88634 01 UX
5962-88634 01 XX
5962-88634 01 YX
5962-88634 01 ZX
5962-88634 02 UX
5962-88634 02 XX
5962-88634 02 YX
5962-88634 02 ZX
28U
28D6
32L
28F
28U
28D6
32L
28F
28U
28D6
32L
28F
28U
28D6
32L
28F
Military/883C
Class B, Fully Compliant
(-55
°
C to 125
°
C)
80
0.3
Military/883C
Class B, Fully Compliant
(-55
°
C to 125
°
C)
120
80
0.3
Military/883C
Class B, Fully Compliant
(-55
°
C to 125
°
C)
80
0.3
Military/883C
Class B, Fully Compliant
(-55
°
C to 125
°
C)
Ordering Information
(1)
(Continued)
t
ACC
(ns)
I
CC
(mA)
Ordering Code
Package
Operation Range
Active
Standby
Package Type
28D6
28-Lead, 0.600" Wide, Non-Windowed, Ceramic Dual Inline Package (Cerdip)
28F
28-Lead, Non-Windowed, Ceramic Bottom-Brazed Flat Package (Flatpack)
32J
32-Lead, Plastic J-Leaded Chip Carrier (PLCC)
32L
32-Pad, Non-Windowed, Ceramic Leadless Chip Carrier (LCC)
28P6
28-Lead, 0.600" Wide, Plastic Dual Inline Package (PDIP)
28S
28-Lead, 0.300" Wide Plastic Gull Wing Small Outline (SOIC)
28T
28-Lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP)
28U
28-Pin, Ceramic Pin Grid Array (PGA)
W
Die
Options
Blank
Standard Device: Endurance = 10K Write Cycles; Write Time = 10 ms
E
High Endurance Option: Endurance = 100K Write Cycles
F
Fast Write Option: Write Time = 3 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT28HC256E-12TI 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256-90 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28HC256 High Speed CMOS Logic 8-Stage Shift-and-Store Bus Register with 3-Stage Outputs 16-TSSOP -55 to 125
AT28HC256-12 High Speed CMOS Logic 8-Stage Shift-and-Store Bus Register with 3-Stage Outputs 16-TSSOP -55 to 125
AT28HC256-12JC 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT28HC256E-12TI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256K HI-ENDURANCE SDP-120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC256E-12TU 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 Parallel 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 5V-120NS, 883c, GR RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC256E-12TU-T 功能描述:120NS, TSOP, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲(chǔ)容量:256Kb （32K x 8） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):10ms 訪問時(shí)間:120ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:28-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AT28HC256E-12UM/883 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256K HI-ENDURANCE SDP - 120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC256E-70DM/883 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 256K HI-ENDURANCE SDP - 70NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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