參數(shù)資料
型號： AT28HC256E-12SJ
廠商： ATMEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
文件頁數(shù)： 24/25頁
文件大?。?/td> 607K
代理商： AT28HC256E-12SJ
8
0007L–PEEPR–03/08
AT28HC256
Note:
1. NR = No Restriction.
15. AC Write Waveforms
15.1
WE Controlled
15.2
CE Controlled
14. AC Write Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
AS, tOES
Address, OE Setup Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
50
ns
t
CS
Chip Select Setup Time
0
ns
t
CH
Chip Select Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width (WE or CE)
100
ns
t
DS
Data Setup Time
50
ns
t
DH, tOEH
Data, OE Hold Time
0
ns
t
DV
Time to Data Valid
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PDF描述
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ARZ225C05 RF COAXIAL RELAY
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參數(shù)描述
AT28HC256E-12SU 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 Parallel 電可擦除可編程只讀存儲器 5V-120NS, 883c, GR RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28HC256E-12SU SL202 制造商:Atmel Corporation 功能描述:PARALLEL EEPROM, 256K (32K X 8
AT28HC256E-12SU-202 功能描述:IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:256Kb （32K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:10ms 訪問時間:120ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:1
AT28HC256E-12SU-T 功能描述:120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:256Kb （32K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:10ms 訪問時間:120ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC 標準包裝:1
AT28HC256E-12TC 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K HI-ENDURANCE SDP-120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
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