參數(shù)資料
型號： AT28HC256E-12SI
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
中文描述： 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 445K
代理商： AT28HC256E-12SI
AT28HC256
7
Page Mode Write Waveforms
(1)(2)
Notes:
1.
2.
A6 through A14 must specify the same page address during each high to low transition of WE (or CE).
OE must be high only when WE and CE are both low.
Chip Erase Waveforms
Page Mode Write Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
WC
Write Cycle Time
AT28HC256
5
10
ms
AT28HC256F
2
3.0
ms
t
AS
Address Set-up Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
50
ns
t
DS
Data Set-up Time
50
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
100
ns
t
BLC
Byte Load Cycle Time
150
μ
s
t
WPH
Write Pulse Width High
50
ns
t
S
= t
H
= 5
μ
sec (min.)
t
W
= 10 msec (min.)
V
H
= 12.0V
±
0.5V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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