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參數(shù)資料
| 型號： | AT28HC256E-12PC |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
| 中文描述： | 32K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, MS-011AB, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 445K |
| 代理商： | AT28HC256E-12PC |
AT28HC256
4
Notes:
1. X can be V
IL
or V
IH
.
2. Refer to AC Programming Waveforms.
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
DC and AC Operating Range
AT28HC256-70
AT28HC256-90
AT28HC256-12
Operating
Temperature (Case)
Com.
0°C - 70°C
0°C - 70°C
0°C - 70°C
Ind.
-40°C - 85°C
-40°C - 85°C
-40°C - 85°C
Mil.
-55°C - 125°C
-55°C - 125°C
V
CC
Power Supply
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
Operating Modes
Mode
CE
OE
WE
I/O
Read
V
IL
V
IL
V
IH
D
OUT
Write
(2)
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IL
D
IN
Standby/Write Inhibit
V
IH
X
High Z
Write Inhibit
X
X
V
IH
Write Inhibit
X
V
IL
X
Output Disable
X
V
IH
X
High Z
Chip Erase
V
IL
V
H
(3)
V
IL
High Z
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Units
I
LI
Input Load Current
V
IN
= 0V to V
CC
+ 1V
10
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
I/O
= 0V to V
CC
10
μ
A
I
SB1
V
CC
Standby Current TTL
CE = 2.0V to V
CC
+ 1V
AT28HC256-90, -12
3
mA
AT28HC256-70
60
mA
I
SB2
V
CC
Standby Current CMOS
CE = -3.0V to V
CC
+ 1V
AT28HC256-90, -12
300
μ
A
I
CC
V
CC
Active Current
f = 5 MHz; I
OUT
= 0 mA
80
mA
V
IL
Input Low Voltage
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 6.0 mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4 mA
2.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28HC256E-12PI | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
| AT28HC256E-12SC | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
| AT28HC256E-12SI | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
| AT28HC256E-12TC | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
| AT28HC256E-12TI | 256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28HC256E-12PI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K HI-ENDURANCE SDP-120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28HC256E-12SC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K HI-ENDURANCE SDP-120NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28HC256E12SI | 制造商:Atmel Corporation 功能描述: |
| AT28HC256E-12SI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K HI-ENDURANCE SDP-120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28HC256E-12SI SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM Parallel 256K-Bit 32K x 8 5V 28-Pin SOIC |
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