參數(shù)資料
型號: AT28C64E-12JC
廠商: ATMEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
中文描述: 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PQCC32
封裝: PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 312K
代理商: AT28C64E-12JC
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
AS
, t
OES
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
, t
OEH
t
CS
, t
CH
t
DB
Address, OE Set-up Time
10
ns
Address Hold Time
50
ns
Write Pulse Width (WE or CE)
100
1000
ns
Data Set-up Time
50
ns
Data, OE Hold Time
10
ns
CE to WE and WE to CE Set-up and Hold Time
0
ns
Time to Device Busy
50
ns
t
WC
Write Cycle Time
AT28C64
1.0
ms
μ
s
AT28C64E
200
AC Write Characteristics
AC Write Waveforms
WE
Controlled
CE Controlled
2-198
AT28C64/X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT28C64E-12JI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
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AT28C64E-12SC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
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參數(shù)描述
AT28C64E-12JI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28C64E-12JU 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28C64E12PC 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
AT28C64E-12PC 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28C64E-12PI 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8