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參數(shù)資料
| 型號： | AT28C64E-12JC |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | AT28C64E-12JC |
Package Type
32J
32 Lead, Plastic J-Leaded Chip Carrier (PLCC)
28P6
28 Lead, 0.600" Wide, Plastic Dual Inline Package (PDIP)
28S
28 Lead, 0.300" Wide, Plastic Gull Wing, Small Outline (SOIC)
28T
28 Lead, Plastic Thin Small Outline Package (TSOP)
W
Die
Options
Blank
Standard Device: Endurance = 10K Write Cycles; Write Time = 1 ms
High Endurance Option: Endurance = 100K Write Cycles; Write Time = 200
μ
s
E
2-202
AT28C64/X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28C64E-12JI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-12PC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-12PI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-12SC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28C64E-12SI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28C64E-12JI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E-12JU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDUR w/RDYBSY - 120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E12PC | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| AT28C64E-12PC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28C64E-12PI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 64K HI-ENDURANCE w/RDYBSY-120NS RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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