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參數(shù)資料
| 型號： | AT27RW1024 |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 1-megabit Rewriteable PROM(1M位可重復(fù)寫的PROM) |
| 中文描述： | 1兆位可重寫胎膜早破（100萬位可重復(fù)寫的可編程） |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | AT27RW1024 |
1
Features
Fast 5V Read Access Time - 35 ns
Command Table Architecture
– Internal Program Control and Timer
12V Program and Erase
– Fast Chip Erase Time - 0.5 Second Maximum
– Word-by-word Programming - 20 μs/Word Typical
Hardware Data Protection
Low-power CMOS Operation
– 100 μA Maximum Standby
– 30 mA Maximum Active at 5 MHz
JEDEC Standard Packages
– 44-lead PLCC
– 40-lead VSOP (10 mm x 14 mm)
Pin-compatible with Atmel’s AT27C1024 and AT49F1024/1025
High-reliability CMOS Technology
– 2000V ESD Protection
– 200 mA Latchup Immunity
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs
100 Write Cycles Guaranteed
Description
The AT27RW1024 is a low-power, high-performance 1,048,576-bit electrically-
rewriteable programmable read-only memory (RWPROM) organized 64K x 16 bits. It
requires only one 5V power supply in normal read mode operation. Any word can be
accessed in less than 35 ns, eliminating the need for speed reducing WAIT states.
Rev. 1415A–06/99
1-megabit
(64K x 16)
Rewriteable
PROM
AT27RW1024
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A15
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O15
Data Inputs/Outputs
NC
No Connect
VSOP Type 1
10 x 14 mm
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A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
VPP
CE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
PLCC Top View
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I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
GND
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A13
A12
A11
A10
A9
GND
NC
A8
A7
A6
A5
6
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I
I
I
I
O
N
A
A
A
A
A
I
I
I
C
V
N
V
W
N
A
A
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28BV16 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28BV16-25 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28BV16-25JC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28BV16-25JI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28BV16-25PC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT-28.63636MAGE-T | 功能描述:晶體 28.63636MHz 30ppm 12pF -40 to 85C RoHS:否 制造商:AVX 頻率:26 MHz 容差: 頻率穩(wěn)定性:50 PPM 負(fù)載電容:8 pF 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:1210 (3225 metric) 工作溫度范圍:- 40 C to + 150 C 尺寸:2.5 mm W x 3.2 mm L x 0.85 mm H 封裝:Reel |
| AT-28.63636MAGK-T | 功能描述:28.63636MHz ±30ppm 晶體 20pF 50 歐姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 表面貼裝 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AT 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:28.63636MHz 頻率穩(wěn)定度:±50ppm 頻率容差:±30ppm 負(fù)載電容:20pF ESR（等效串聯(lián)電阻）:50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 等級:AEC-Q200 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:HC49/US 大小/尺寸:0.449" 長 x 0.189" 寬（11.40mm x 4.80mm） 高度:0.161"（4.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| AT-28.63636MAHE-T | 功能描述:28.63636MHz ±30ppm 晶體 12pF 50 歐姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 表面貼裝 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AT 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:28.63636MHz 頻率穩(wěn)定度:±30ppm 頻率容差:±30ppm 負(fù)載電容:12pF ESR（等效串聯(lián)電阻）:50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 等級:AEC-Q200 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:HC49/US 大小/尺寸:0.449" 長 x 0.189" 寬（11.40mm x 4.80mm） 高度:0.161"（4.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| AT-28.63636MAHI-T | 功能描述:28.63636MHz ±30ppm 晶體 16pF 50 歐姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 表面貼裝 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AT 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:28.63636MHz 頻率穩(wěn)定度:±30ppm 頻率容差:±30ppm 負(fù)載電容:16pF ESR（等效串聯(lián)電阻）:50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 等級:AEC-Q200 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:HC49/US 大小/尺寸:0.449" 長 x 0.189" 寬（11.40mm x 4.80mm） 高度:0.161"（4.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| AT-28.63636MDGE-T | 功能描述:28.63636MHz ±20ppm 晶體 12pF 50 歐姆 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 表面貼裝 HC49/US 制造商:txc corporation 系列:AT 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:MHz 晶體 頻率:28.63636MHz 頻率穩(wěn)定度:±50ppm 頻率容差:±20ppm 負(fù)載電容:12pF ESR（等效串聯(lián)電阻）:50 歐姆 工作模式:基諧 工作溫度:-40°C ~ 85°C 等級:AEC-Q200 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:HC49/US 大小/尺寸:0.449" 長 x 0.189" 寬（11.40mm x 4.80mm） 高度:0.161"（4.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
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