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參數(shù)資料
| 型號： | AS7C3513B-20TIN |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K x 16 CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32K X 16 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 18.40 X 10.20 MM, LEAD FREE, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | AS7C3513B-20TIN |
AS7C3513B
3/24/04, v.1.2
Alliance Semiconductor
P. 3 of 10
Recommended operating conditions
V
IL
= -1.0V for pulse width less than 5ns
V
IH =
V
CC
+ 1.5V for pulse width less than 5ns
DC operating characteristics (over the operating range)
1
Capacitance (f = 1MHz, T
a
= 25
o
C, V
CC
= NOMINAL)
2
Parameter
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
3.0
3.3
3.6
V
Input voltage
2.0
–
V
CC
+ 0.5
0.8
–0.5
–
V
Ambient operating temperature
commercial
0
–
70
° C
industrial
–40
–
85
° C
Parameter
Sym
Test conditions
-10
-12
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input leakage
current
|
I
LI
|
V
CC
= Max
V
IN
= GND to V
CC
V
CC
= Max
V
OUT
= GND to V
CC
–
1
–
1
–
1
–
1
μA
Output leakage
current
|
I
LO
|
–
1
–
1
–
1
–
1
μA
Operating
power supply
current
I
CC
V
CC
= Max, CE
≤
V
IL
f = f
Max
, I
OUT
= 0mA
–
80
–
75
–
70
–
65
mA
Standby power
supply current
I
SB
V
CC
= Max, CE
≥
V
IH
f = f
Max
V
CC
=
Max, CE
≥
V
CC
–0.2V
V
IN
≤
0.2V or V
IN
≥
V
CC
–0.2V,
f = 0
–
30
–
25
–
20
–
20
mA
I
SB1
–
5
–
5
–
5
–
5
mA
Output voltage
V
OL
V
OH
I
OL
= 8 mA, V
CC
= Min
I
OH
= –4 mA, V
CC
= Min
–
0.4
–
0.4
–
0.4
–
0.4
V
2.4
–
2.4
–
2.4
–
2.4
–
V
Symbol
Signals
Test conditions
Max
Unit
Input capacitance
C
IN
C
I/O
A, CE, WE, OE, LB, UB
V
in
= 0V
V
in
= V
out
= 0V
5
pF
I/O capacitance
I/O
7
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS7C3513C | 3.3 V 32K X 16 CMOS SRAM |
| AS7C4096-20TIN | 5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM |
| AS7C34096-10JC | TV 5C 5#16 PIN WALL RECP |
| AS7C4096-12 | TV 55C 55#22D PIN WALL RECP |
| AS7C4096-15JIN | 5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS7C38096A-10BIN | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C38096A-10BINTR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C38096A-10TIN | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C38096A-10TINTR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 1M x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C38096A-10ZIN | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M Fast 1M x 8 3.3V Asynch RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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