參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C3364PFS36B-200TQCN
廠商： ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 64K X 32/36 pipeline burst synchronous SRAM
中文描述： 64K X 36 STANDARD SRAM, 3 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 8/19頁(yè)
文件大?。?/td> 548K
代理商： AS7C3364PFS36B-200TQCN
AS7C3364PFS32B
AS7C3364PFS36B
12/10/04; v.1.4
Alliance Semiconductor
P. 8 of 19
Absolute maximum ratings
Stresses greater than those listed under “Absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only, and functional
operation of the device at these or any other conditions outside those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions may affect reliability.
Recommended operating conditions at 3.3V I/O
Recommended operating conditions at 2.5V I/O
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Power supply voltage relative to GND
V
DD
, V
DDQ
–0.5
+4.6
V
Input voltage relative to GND (input pins)
V
IN
–0.5
V
DD
+ 0.5
V
Input voltage relative to GND (I/O pins)
V
IN
–0.5
V
DDQ
+ 0.5
V
Power dissipation
P
d
–
1.8
W
Short circuit output current
I
OUT
–
20
mA
Storage temperature
T
stg
–65
+150
o
C
Temperature under bias
T
bias
–65
+135
o
C
Parameter
Symbol
Min
Nominal
Max
Unit
Supply voltage for inputs
V
DD
3.135
3.3
3.465
V
Supply voltage for I/O
V
DDQ
3.135
3.3
3.465
V
Ground supply
Vss
0
0
0
V
Parameter
Symbol
Min
Nominal
Max
Unit
Supply voltage for inputs
V
DD
3.135
3.3
3.465
V
Supply voltage for I/O
V
DDQ
2.375
2.5
2.625
V
Ground supply
Vss
0
0
0
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C3364PFS36B-200TQI 3.3V 64K X 32/36 pipeline burst synchronous SRAM
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AS7C34096A-10TCN 3.3V 512K x 8 CMOS SRAM
AS7C34096A-10TI 3.3V 512K x 8 CMOS SRAM
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參數(shù)描述
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