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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS7C31026C |
| 廠商： | Alliance Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
| 中文描述： | 3.3伏64K的× 16 CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | AS7C31026C |
September 2006
Advance Information
Copyright Alliance Memory. All rights reserved.
AS7C31026C
3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM
9/20/06, v 1.0
Alliance Memory
P. 1 of 10
Features
Industrial (-40
o
to 85
o
C) temperature
Organization: 65,536 words × 16 bits
Center power and ground pins for low noise
High speed
- 10 ns address access time
- 5 ns output enable access time
Low power consumption via chip deselect
Upper and Lower byte pin
Easy memory expansion with
CE
,
OE
inputs
TTL-compatible, three-state I/O
JEDEC standard packaging
- 44-pin 400 mil SOJ
- 44-pin TSOP 2-400
- 48-ball 6 × 8 mm BGA
ESD protection
≥
2000 volts
Logic block diagram
65,536 × 16
Array
OE
LB
CE
WE
Address decoder
A
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
V
CC
GND
A
A
A
A
A
A
A
A
Control circuit
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
UB
I/O
buffer
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
I/O13
I/O12
GND
V
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
44-Pin SOJ (400 mil), TSOP 2
UB
LB
I/O15
I/O14
2
3
4
A3
A2
A1
1
A4
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
43
42
41
44
A6
A7
OE
A5
A
Pin arrangement
00000
48 - BGA Ball-Grid-Array Package
1
2
A
LB
OE
B
I/O8
UB
C
I/O9
I/O10
D
V
SS
I/O11
E
V
DD
I/O12
F
I/O14
I/O13
A14
G I/O15
NC
H
NC
A8
3
4
5
6
A
0
A3
A5
NC
NC
A
1
A4
A6
A7
NC
A15 I/O5
A13 WE
A10 A11
A
2
CE
I/O1
I/O3 V
DD
I/O4
NC
I/O0
I/O2
V
SS
I/O6
I/O7
NC
A12
A9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS7C32096A-10TC | 3.3V 256K x 8 CMOS SRAM |
| AS7C32096A-10TCN | 3.3V 256K x 8 CMOS SRAM |
| AS7C32096A-10TI | 3.3V 256K x 8 CMOS SRAM |
| AS7C32096A-10TIN | 3.3V 256K x 8 CMOS SRAM |
| AS7C32096A | Hex D-Type Flip-Flops With Clear 16-TVSOP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AS7C31026C-10BINTR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1M, 3.3V, 10ns, FAST 64K x 16 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS7C31026C-10TIN | 制造商:Alliance Memory Inc 功能描述:AS7C31026C Series 1-Mbit (64 K x 16) 3.3 V 10 ns CMOS Static RAM - TSOP 11-44 |
| AS7C31026C-12BIN | 功能描述:48BALL BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:1Mb （64K x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):12ns 訪問(wèn)時(shí)間:12ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:360 |
| AS7C31026C-12BINTR | 功能描述:48BALL BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:易失 存儲(chǔ)器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:1Mb （64K x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè):12ns 訪問(wèn)時(shí)間:12ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 |
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