參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C164
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 8K×8 CMOS SRAM(5V 8K×8 CMOS 靜態(tài)RAM)
中文描述： 5V的8K的× 8 CMOS SRAM的（5V的8K的× 8的CMOS靜態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 187K
代理商： AS7C164
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497
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5#
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,
10, 11, 12
Parameter
Write cycle time
Chip enable (CE1) to write end
Chip enable (CE2) to write end
Address setup to write end
Address setup time
Write pulse width
Address hold from write end
Data valid to write end
Data hold time
Write enable to output in high Z
Output active from write end
Symbol
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
-12
-15
-20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
12
9
9
9
0
8
0
6
0
–
3
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
Min
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10
10
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–
–
–
–
–
–
–
–
–
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–
Min
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12
12
12
0
12
0
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0
–
3
Max
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
12
12
12
4, 5
4, 5
4, 5
t
AW
t
AH
t
WC
Address
WE
D
OUT
t
DH
t
OW
t
DW
t
WZ
t
WP
t
AS
Data valid
D
IN
t
AW
Address
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D
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t
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t
CW2
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Data valid
t
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t
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t
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t
WC
t
AS
CE2
D
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AS7C251MFT18A-10TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-75TQC High Speed CMOS Logic Triple 3-Input AND Gates 14-SOIC -55 to 125
AS7C251MFT18A-75TQCN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
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