參數(shù)資料
型號(hào)： AS7C164-20
廠商： Alliance Semiconductor Corporation
英文描述： 5V 8K X 8 CMOS SRAM
中文描述： 5V的8K的× 8 CMOS SRAM的
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： AS7C164-20
7
)+,
899
)9+,
)9+:
:,
Parameter
Read cycle time
Address access time
Chip enable (CE1) access time
Chip enable (CE2) access time
Output enable (OE) access time
Output hold from address change
CE1 Low to output in low Z
CE2 High to output in low Z
CE1 High to output in high Z
CE2 Low to output in high Z
OE Low to output in low Z
OE High to output in high Z
Power up time
Power down time
Symbol
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
-12
-15
-20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
Min
12
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
Max
–
12
12
12
6
–
–
–
3
3
–
3
–
12
Min
15
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
Max
–
15
15
15
7
–
–
–
4
4
–
4
–
15
Min
20
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
Max
–
20
20
20
8
–
–
–
5
5
–
5
–
20
3
3, 12
3, 12
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
Undefined/don’t care
Falling input
Rising input
Address
D
OUT
Data valid
t
OH
t
AA
t
RC
current
Supply
CE2
OE
D
OUT
t
OE
t
OLZ
t
ACE1,
t
ACE2
t
CHZ1,
t
CHZ2
t
CLZ1,
t
CLZ2
t
PU
t
PD
I
CC
I
SB
50%
50%
t
OHZ
Data valid
t
RC1
CE1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS7C164 5V 8K×8 CMOS SRAM(5V 8K×8 CMOS 靜態(tài)RAM)
AS7C251MFT18A-75TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-85TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-10TQIN 2.5V 1M x 18 flowthrough burst synchronous SRAM
AS7C251MFT18A-75TQC High Speed CMOS Logic Triple 3-Input AND Gates 14-SOIC -55 to 125
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參數(shù)描述
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AS7C164-20JCNTR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K Fast 8K x 8 5V Asynch RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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AS7C164-25JC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
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