參數(shù)資料
型號: AS6C4008-55SIN
廠商: ALLIANCE MEMORY INC
元件分類: SRAM
英文描述: IC,AS6C4008-55SIN,SOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
中文描述: 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝: 0.450 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-32
文件頁數(shù): 12/14頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商: AS6C4008-55SIN
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VCC for Data Retention
VDR
CE#
V
CC
- 0.2V
1.5
-
5.5
V
-LL
-
2
30
A
Data Retention Current
IDR
VCC = 1.5V
CE#
V
CC
- 0.2V -LLE/-LLI
-
2
30
A
Chip Disable to Data
Retention Time
tCDR
See Data Retention
Waveforms (below)
0
-
ns
Recovery Time
tR
tRC*
-
ns
tRC* = Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
Vcc
CE#
VDR ≧ 1.5V
CE#
V
cc-0.2V
Vcc(min.)
VIH
tR
tCDR
VIH
Vcc(min.)
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
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相關PDF資料
PDF描述
AS6C4008-55STIN IC,AS6C4008-55STIN,STSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
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AS7C1024B-12JCN IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-12TCN IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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AS6C4008-55STIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008-55STINR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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