參數(shù)資料
型號(hào)： AS6C4008-55SIN
廠商： ALLIANCE MEMORY INC
元件分類： SRAM
英文描述： IC,AS6C4008-55SIN,SOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
中文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.450 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-32
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商： AS6C4008-55SIN
TIMING WAVEFORMS
READ CYCLE 1
(Address Controlled) (1,2)
Dout
Data Valid
tOH
tAA
Address
tRC
Previous Data Valid
READ CYCLE 2
(CE# and OE# Controlled) (1,3,4,5)
Dout
Data Valid
tOH
OE#
tACE
CE#
tAA
Address
tRC
High-Z
tCLZ
tOLZ
tOE
tCHZ
tOHZ
Notes :
1.WE# is high for read cycle.
2.Device is continuously selected OE# = low, CE# = low.
3.Address must be valid prior to or coincident with CE# = low,; otherwise tAA is the limiting parameter.
4.tCLZ, tOLZ, tCHZ and tOHZ are specified with CL = 5pF. Transition is measured ±500mV from steady state.
5.At any given temperature and voltage condition, tCHZ is less than tCLZ , tOHZ is less than tOLZ.
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AS6C4008-55STIN IC,AS6C4008-55STIN,STSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
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AS7C1024B-12JCN IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-12TCN IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AS6C4008-55STINR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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AS6C4008-55TIN 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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