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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4LC1M16S1 |
| 英文描述： | 3.3V 2Mx8 / 1Mx16 CMOS synchronous DRAM |
| 中文描述： | 3.3 2Mx8 / 1Mx16的CMOS同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 265K |
| 代理商： | AS4LC1M16S1 |
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AS4LC4M4E0
AS4LC4M4E1
4/11/01; V1.1
Alliance Semiconductor
P. 6 of 15
Write cycle
Read-modify-write cycle
Refresh cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
Write command setup time
0
–
0
–
ns
11
Write command hold time
10
–
10
–
ns
11
Write command pulse width
10
–
10
–
ns
Write command to
RAS
lead time
10
–
10
–
ns
Write command to
CAS
lead time
8
–
10
–
ns
Data-in setup time
0
–
0
–
ns
12
Data-in hold time
8
–
10
–
ns
12
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
Read-write cycle time
113
–
135
–
ns
RAS
to
WE
delay time
67
–
77
–
ns
11
CAS
to
WE
delay time
32
–
35
–
ns
11
Column address to
WE
delay time
42
–
47
–
ns
11
Symbol
Parameter
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
t
CSR
t
CHR
t
RPC
CAS
setup time (
CAS
-before-
RAS
)
5
–
5
–
ns
3
CAS
hold time (
CAS
-before-RAS)
8
–
10
–
ns
3
RAS precharge to
CAS
hold time
0
–
0
–
ns
t
CPT
CAS
precharge time
(CBR counter test)
10
10
–
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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