參數(shù)資料
型號: AS4C1M16E5-60TI
英文描述: x16 EDO Page Mode DRAM
中文描述: x16 EDO公司頁面模式的DRAM
文件頁數(shù): 12/22頁
文件大?。?/td> 617K
代理商: AS4C1M16E5-60TI
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
12 of 22
Write waveform
OE controlled
Upper byte write waveform
OE controlled
Row address
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RAH
t
RAL
t
RAD
t
CAH
t
CWL
tR
WL
t
OEH
t
DS
t
DH
Data in
RAS
UCAS,
LCAS
Address
WE
OE
DQ
Column address
t
WP
t
ASC
t
ASR
t
OED
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RAL
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RAD
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ASC
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CAH
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CSH
t
CRP
t
CRP
t
RPC
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
DS
t
DH
t
OED
Row address
Column address
Data in
RAS
Address
UCAS
LCAS
WE
OE
Upper DQ
Lower DQ
t
CRP
t
RAH
t
RCD
t
CAS
t
RSH
t
CWL
t
ASR
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PDF描述
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