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參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC1M16E0-60JC |
| 英文描述： | x16 EDO Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x16 EDO公司頁面模式的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 617K |
| 代理商： | AS4LC1M16E0-60JC |
Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
AS4C1M16E5
4/11/01; v.1.0
Alliance Semiconductor
P.
1 of 22
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)
Features
Organization: 1,048,576 words × 16 bits
High speed
- 45/50/60 ns RAS access time
- 20/20/25 ns hyper page cycle time
- 10/12/15 ns CAS access time
Low power consumption
- Active:
740 mW max (AS4C1M16E5-60)
- Standby: 5.5 mW max, CMOS DQ
Extended data out
1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval
- RAS-only or CAS-before-RAS refresh Read-modify-write
TTL-compatible, three-state DQ
JEDEC standard package and pinout
- 400 mil, 42-pin SOJ
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II
5V power supply (AS4C1M16E5)
3V power supply (AS4LC1M16E5)
Industrial and commercial temperature available
Pin arrangement
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
SOJ
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
Vcc
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
Vcc
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
Vcc
V
CC
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
TSOP II
Pin designation
Pin(s)
Description
A0 to A9
Address inputs
RAS
Row address strobe
DQ1 to DQ16
Input/output
OE
Output enable
WE
Write enable
UCAS
Column address strobe, upper byte
LCAS
Column address strobe, lower byte
V
CC
V
SS
Power
Ground
Selection guide
Symbol
-45
-50
-60
Unit
Maximum RAS access time
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
HPC
I
CC1
I
CC5
45
50
60
ns
Maximum column address access time
23
25
30
ns
Maximum CAS access time
10
12
15
ns
Maximum output enable (OE) access time
12
13
15
ns
Minimum read or write cycle time
75
80
100
ns
Minimum hyper page mode cycle time
20
20
25
ns
Maximum operating current
155
145
135
mA
Maximum CMOS standby current
1.0
1.0
1.0
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E0-70JC | x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4C14400-40JC | x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C14400-40TC | x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C14400-70JC | x4 Fast Page Mode DRAM |
| AS4C14400-70TC | x4 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC1M16E0-70JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC1M16E5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC1M16E5-50TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO) |
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