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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT75X120TE3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | APTGT75X120TE3 |
APTGT75X120TE3
A
PT
G
T
75
X
12
0T
E3
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
Electrical Characteristics
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
285
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
9.5
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
3
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s Tj = 125°C
6
mJ
Tj = 25°C
7.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s Tj = 125°C
13.7
C
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
R25
Resistance @ 25°C
5
k
B 25/50
T25 = 298.16 K
3375
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
50
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75X120TE3G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75X120TE3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU120SK120T | 180 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU140SK60T | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGU30H120T | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT75X120TE3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75X60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGTQ100A65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準包裝:1 |
| APTGTQ100DA65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準包裝:1 |
| APTGTQ100DDA65T3G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準包裝:1 |
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