參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75X120TE3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 232K
代理商： APTGT75X120TE3G
APTGT75X120TE3
A
PT
G
T
75
X
12
0T
E3
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
15
16
17
13
14
8
7
9
11
10
18
19
5 6
3 4
1
21
20
12
2
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
100
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
175
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
350
W
RBSOA Reverse Bias Operating Area
Tj = 125°C
150A@1100V
VCES = 1200V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
AC Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
3 Phase bridge
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75X120TE3 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU120SK120T 180 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU140SK60T 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU30H120T 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGU60A120T 90 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75X60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTGTQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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