參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75TDU120P
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 289K
代理商： APTGT75TDU120P
APTGT75TDU120P
A
P
T
G
T
75
T
D
U
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
285
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
8.1
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
3
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s
Tj = 125°C
6
mJ
Tj = 25°C
7.6
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 75A
VR = 600V
di/dt =825A/s
Tj = 125°C
13.7
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75TDU60P 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU60P 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT75X120BTP3 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120RTP3 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT75TDU120PG 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT75X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
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