參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75TDU60P
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 282K
代理商： APTGT75TDU60P
APTGT75TDU60P
A
P
T
G
T
75
T
D
U
60P
–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC= 25°C
100
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
140
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
250
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
150A @ 550V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
E5/E6
G5
E5
E3/E4
C5
G3
C6
E6
G6
C2
E2
G2
C4
E4
G4
E1
C1
G1
E1/E2
C3
E3
E5
G5
C 5
C 3
G3
E5/E6
E3
E6
G6
C 4
C 6
E4
G4
E1
E1/E2
E3/E4
C 1
G1
G2
E2
C 2
VCES = 600V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
AC Switches
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Very low (12mm) profile
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual
common source configuration of three times the
current capability
Triple Dual Common Source
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75TDU60P 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120BTP3 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120BTP3 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120RTP3 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75X120RTP3 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75TL60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT75X120BTPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT75X120E3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge Trench IGBT Power Module
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