參數(shù)資料
型號： APTGT75SK60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： APTGT75SK60T1G
APTGT75SK60T1G
APTGT75SK
60
T
1G
–
Re
v0
A
ugus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
2040
6080
100
IC (A)
Fm
ax
,Oper
ati
n
g
Frequency
(kH
z)
VCE=300V
D=50%
RG=4.7
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
al
I
m
pedanc
e
(°
C
/W)
Diode
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Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TA120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU120P 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75TDU60P 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT75TA120P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75TA120PG 功能描述:POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75TA60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75TA60PG 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75TDU120P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
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