參數(shù)資料
型號： APTGT75H60T3G
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： APTGT75H60T3G
APTGT75H60T3G
A
P
T
G
T
75
H
60T
3G
–
R
ev
2
J
une
,2006
www.microsemi.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
20406080
100
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=300V
D=50%
RG=4.7
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
Diode
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT75SK170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT75SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT75SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT75SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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