參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75H60T3G
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： APTGT75H60T3G
APTGT75H60T3G
A
P
T
G
T
75
H
60T
3G
–
R
ev
2
J
une
,2006
www.microsemi.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
00.511.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lI
m
p
e
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75SK120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT75SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT75SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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