參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75DH60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 208K
代理商： APTGT75DH60T1G
APTGT75DH60T1G
APT
G
T
75DH60T
1G
–
Rev
0
Apr
il,
2009
www.microsemi.com
1 – 6
Pins 3/4 must be shorted together
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
100*
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75*
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
140
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
150A @ 550V
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 40A to not exceed a delta of temperature greater
than 35°C for the connectors.
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Asymmetrical - Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
VCES = 600V
IC = 75A* @ Tc = 80°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75H120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75H120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75H60T3G 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75SK120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75DH60T3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT75DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DSK60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT75DU120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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