參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75DH120T
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT75DH120T
APTGT75DH120T
A
P
T
G
T
75
D
H
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
F (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
204060
80
100
120
I
C (A)
F
m
ax,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
c
y(
k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
da
nc
e
(°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTGT75DSK60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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