參數(shù)資料
型號： APTGT75A170D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 182K
代理商： APTGT75A170D1G
APTGT75A170D1G
APT
G
T
75A170T
1G
–
Rev
1
Decem
ber
,2009
www.microsemi.com
3 – 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.27
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.5
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
37.5
75
112.5
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VF (V)
I F
(A)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
0
20
406080
100
120
IC (A)
F
m
ax,
Operat
ing
F
requen
cy
(kHz
)
VCE=900V
D=50%
RG=18
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
al
Impe
dance
(°C
/W
)
Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DA120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DA170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*