參數(shù)資料
型號： APTGT75A170D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： APTGT75A170D1G
APTGT75A170D1G
APT
G
T
75A170T
1G
–
Rev
1
Decem
ber
,2009
www.microsemi.com
2 – 4
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
250
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
6800
Coes
Output Capacitance
277
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
220
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=75A
VCE=900V
0.85
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
850
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 75A
RG = 18Ω
120
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
1000
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 75A
RG = 18Ω
200
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
27
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 75A
RG = 18Ω
Tj = 125°C
24.5
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 1000V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
300
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
75
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 75A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
410
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
520
ns
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
31
C
Tj = 25°C
9
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 75A
VR = 900V
di/dt =800A/s
Tj = 125°C
17.5
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DA120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DA170D1G 130 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DDA60T3 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75DH120T 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
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