參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT600U170D4G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： APTGT600U170D4G
APTGT600U170D4G
APT
G
T
600U170D
4G
–
Rev
2
July,
2008
www.microsemi.com
3- 5
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.044
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.065
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
3500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M4
1
2
Torque Mounting torque
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
350
g
D4 Package outline (dimensions in mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT750U60D4G IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120T1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT750U60D4G 功能描述:IGBT 600V 1000A 2300W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A1202G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT75A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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