參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT600U170D4G
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 單場(chǎng)停止開(kāi)關(guān)溝槽IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 277K
代理商： APTGT600U170D4G
APTGT600U170D4G
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 600A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 24 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
1
2.4
6.4
800
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
2.4
5.8
V
CE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
5.2
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 600A
R
G
= 2.4
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 600A
R
G
= 2.4
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 600A
R
G
= 2.4
Min
Typ
51
1.8
280
100
850
150
330
100
1000
230
Max
Unit
nF
ns
ns
E
on
Turn On Energy
T
j
= 125°C
200
E
off
Turn Off Energy
T
j
= 125°C
190
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Test Conditions
Min
1700
Typ
600
1.8
1.9
85
Max
750
1000
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
Tc=80°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
I
F
DC forward current
I
F
= 600A
V
GE
= 0V
A
V
F
Diode Forward Voltage
V
E
r
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
145
mJ
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
450
t
rr
Reverse Recovery Time
600
ns
150
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
F
= 600A
V
R
= 900V
di/dt =5200A/μs
250
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75A120T Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT75DSK60T3 Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
ARF1500 ER 3C 3#16 PIN RECP WALL
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參數(shù)描述
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APTGT75A1202G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT75A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A120T 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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