參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT600U120D4G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： APTGT600U120D4G
APTGT600U120D4G
APT
G
T
600U120D
4G
–
Rev
2
July,
2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 600A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 24mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
43
Coes
Output Capacitance
2.25
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
2
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=600A
VCE=600V
5.6
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 600A
RG = 1.2Ω
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 600A
RG = 1.2Ω
180
ns
Eon
Turn on Energy
Tj = 125°C
50
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 600A
RG = 1.2Ω
Tj = 125°C
88
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
2400
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
750
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
1000
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
600
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 600A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
250
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
350
ns
Tj = 25°C
60
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
115
C
Tj = 25°C
28
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 600A
VR = 600V
di/dt =7000A/s
Tj = 125°C
52
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600U120D4 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600U120D4 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600U170D4G 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT750U60D4G IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT600U170D4G 功能描述:IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT750U60D4G 功能描述:IGBT 600V 1000A 2300W D4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A1202G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT75A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT75A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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