參數(shù)資料
型號： APTGT600U120D4
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： APTGT600U120D4
APTGT600U120D4
A
PT
G
T
60
0U
12
0D
4
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 24mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
16
mA
Tj = 25°C
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 600A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 24mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
1200
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
40
Coes
Output Capacitance
2.4
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
2
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
250
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 600A
RG = 1.1
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 600A
RG = 1.1
180
ns
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 600A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Erec
Reverse Recovery Energy
IF = 600A
VR = 600V
di/dt =900A/s
Tj = 125°C
48
mJ
Tj = 25°C
56
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 600A
VR = 600V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
112
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.05
RthJC
Junction to Case
Diode
0.075
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M6
3
5
Torque Mounting torque
M4
1
2
N.m
Wt
Package Weight
420
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT600U170D4G 1100 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT750U60D4G IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1G 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT75A120D1 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT75A1202G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk
APTGT75A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
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