參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT600DU60
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 269K
代理商： APTGT600DU60
APTGT600DU60
A
P
T
G
T
600
D
U
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
750
A
Tj = 25°C
1.4
1.8
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 600A
Tj = 150°C
1.5
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
800
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
49
Coes
Output Capacitance
3.1
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.5
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
55
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 600A
RG = 2
60
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
145
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
80
ns
Eon
Turn on Energy
10.5
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 600A
RG = 2
21
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
750
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
1000
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
600
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 600A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.4
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
220
ns
Tj = 25°C
27
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 600A
VR = 300V
di/dt =5000A/s
Tj = 150°C
57
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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