參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50X170RTP3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： APTGT50X170RTP3
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
A
PT
G
T
50
X
17
0B
T
P3
–
R
ev
1,
Fe
br
ua
ry
,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
IGBT & Diode Inverter Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 2.5mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 2.5mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Cies
Input Capacitance
4400
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ;VCE = 25V
f = 1MHz
150
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
720
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
90
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
220
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
820
Tf
Fall Time
110
ns
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
22
mJ
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Forward Voltage
VGE = 0V
IF = 50A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt=990A/s
Tj = 125°C
30
C
IGBT
0.40
RthJC
Junction to Case
Diode
0.70
°C/W
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
R25
Resistance @ 25°C
5
k
B 25/50
T25 = 298.16 K
3375
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
50
/
25
3. Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
3.3
N.m
Wt
Package Weight
300
g
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170BTP3 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X170RTP3 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X60T3G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT600DU60 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT580U60D4G 功能描述:IGBT 600V 760A 1600W D4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT600A60 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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