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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT50TDU60P |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 三雙共源戴場站IGBT功率模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | APTGT50TDU60P |
APTGT50TDU60P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
V
F
(V)
1.6
2
2.4
I
C
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
I
C
(A)
60
80
F
V
CE
=300V
D=50%
R
G
=10
T
J
=150°C
T
c
=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APTGT50TL601G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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