參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50TDU60P
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 三雙共源戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 294K
代理商： APTGT50TDU60P
APTGT50TDU60P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE
(V)
I
C
(
Output Characteristics
V
GE
=15V
V
GE
=13V
V
GE
=19V
V
GE
=9V
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
CE
(V)
I
C
T
J
= 150°C
Transfert Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
V
GE
(V)
9
10
11
12
I
C
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
20
40
60
80
100
I
C
(A)
E
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
R
G
= 10
T
J
= 150°C
Eon
Eon
Eoff
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
6
5
15
25
35
45
55
65
Gate Resistance (ohms)
E
V
CE
= 300V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
T
J
= 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
(V)
I
C
V
GE
=15V
T
J
=150°C
R
G
=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration in Seconds
0.01
0.1
1
10
T
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50X120BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X120RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X170BTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X170RTP3 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT600A60 Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TL601G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50X120BTP3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module
APTGT50X120BTPG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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