參數(shù)資料
型號： APTGT50TDU170P
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 287K
代理商： APTGT50TDU170P
APTGT50TDU170P
A
P
T
G
T
50
T
D
U
170P
–
R
ev
0,
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
00.511.5
2
2.5
3
V
F (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
0
20406080
IC (A)
Fm
ax
,O
p
e
ra
ting
Fr
eque
n
cy
(k
H
z)
VCE=900V
D=50%
RG=22
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
d
anc
e
(
°C
/W)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTGT50X120RTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120BTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
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APTGT50TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
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