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參數(shù)資料









型號(hào)：
APTGT50TDU170P




廠商：
MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP




元件分類(lèi)：
IGBT 晶體管




英文描述：
70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT




封裝：
MODULE-21




文件頁(yè)數(shù)：
2/5頁(yè)




文件大?。?/td>
287K




代理商：
APTGT50TDU170P








	

    
    

    

	
APTGT50TDU170P
A
P
T
G
T
50
T
D
U
170P
–
R
ev
0,
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 2.5mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
5
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2.5 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
4400
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V ;VCE = 25V
f = 1MHz
150
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
720
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
90
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
220
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
820
Tf
Fall Time
110
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
29
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 50A
RG = 22
Diode
22
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
19
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s
Tj = 125°C
30
C

    

    
    








相關(guān)PDF資料


PDF描述






APTGT50TDU170P
70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT




APTGT50TL601G
80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT




APTGT50X120BTP3
55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT




APTGT50X120RTP3G
55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT




APTGT50X120BTP3G
55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT















相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)


參數(shù)描述






APTGT50TDU170PG
功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B




APTGT50TDU60P
 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module




APTGT50TDU60PG
功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B




APTGT50TL601G
功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B




APTGT50TL60T3G
 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module




    
    
    
	
	
    
    
     
     
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                                    廠商
                                    批號(hào)
                                    封裝
                                  

                                
                                
                                

                                    
                                        

                                            
                                            
                                        

                                    		
                                     
                                    
                                        

                                    		
                                    
                                        

                                    		
                                    
                                        

                                    		
                                    
                                        

                                    		
                                  

                                  
                                   
                                
                            

                             
                             
							                            

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我的聯(lián)系方式

                     
                     
                       

                                
                                
                                

                                    
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