參數(shù)資料
型號: APTGT50TA60P
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-21
文件頁數(shù): 5/5頁
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代理商: APTGT50TA60P
APTGT50TA60P
A
P
T
G
T
50
T
A
60P
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
20406080
IC (A)
F
m
ax,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
kH
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=10
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lI
m
p
e
da
n
c
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TL601G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120BTP3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120RTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU170P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B