參數(shù)資料
型號： APTGT50TA60P
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-21
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 0K
代理商： APTGT50TA60P
APTGT50TA60P
A
P
T
G
T
50
T
A
60P
–
R
ev
0,
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.85
RthJC
Junction to Case
Diode
1.42
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
250
g
Package outline (dimensions in mm)
5 places (3:1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TDU170P 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50TL601G 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120BTP3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50X120RTP3G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU170P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module
APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50TDU60P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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