參數(shù)資料
型號： APTGT50DH120T
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-14
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 279K
代理商： APTGT50DH120T
APTGT50DH120T
A
P
T
G
T
50
D
H
120
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
00.5
11.5
22.5
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1020
304050
6070
80
IC (A)
Fm
ax
,O
p
er
at
ing
Fr
eque
nc
y
(k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=18
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料
PDF描述
APTGT50DH60T1G 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DH170T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*