參數(shù)資料
型號(hào): APTGT50DH120T
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-14
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商: APTGT50DH120T
APTGT50DH120T
A
P
T
G
T
50
D
H
120
T
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
00.511.522.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
204060
80
100
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
1020304050
6070
80
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50DH60T1G 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK120T3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DSK60T3 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DH170T 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module