參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50DA120TG
廠(chǎng)商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 升壓斬波器快速戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： APTGT50DA120TG
APTGT50DA120TG
A
www.microsemi.com
1 - 5
Application
Features
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
75
50
100
±20
277
100A @ 1150V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operating Area
A
V
W
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
See application note
APT0502 on www.microsemi.com
CR1
VBUS SENSE
NTC2
Q2
G2
NTC1
OUT
VBUS
E2
0/VBUS
VBUS
OUT
OUT
NTC2
NTC1
0/VBUS
E2
E2
G2
G2
VBUS
SENSE
V
CES
= 1200V
I
C
= 50A @ Tc = 80°C
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Fast Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Boost chopper
Fast Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50DA170T Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DDA120T3 Dual Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DDA60T3 Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH120T Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH170T Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DA170D1G 功能描述:IGBT 1700V 70A 310W D1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170T 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DA170T1G 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DA170TG 功能描述:IGBT 1700V 75A 312W SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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