參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT50DH170T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
中文描述： 非對(duì)稱(chēng)-橋戴場(chǎng)站IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
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代理商： APTGT50DH170T
APTGT50DH170T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Application
Features
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1700
75
50
100
±20
312
100A @ 1600V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operating Area
A
V
W
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
Q4
OUT2
OUT1
VBUS SENSE
CR3
0/VBUS
G4
E4
NTC2
Q1
CR2
0/VBUS SENSE
NTC1
G1
E1
NTC2
OUT1
OUT2
VBUS
VBUS
SENSE
E1
NTC1
E4
G4
0/VBUS
0/VBUS
SENSE
G1
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ Tc = 80°C
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Asymmetrical - Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT75DA170D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT75DU120T Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75H120T Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75H60T3G Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75SK120D1 Buck chopper Trench IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT50DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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