參數(shù)資料
型號： APTGT50A120D1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench IGBT Power Module
中文描述： 相腳溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： APTGT50A120D1
APTGT50A120D1
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
1200
1.4
5.0
Typ
1.7
2.0
5.8
Max
5
2.1
6.5
400
Unit
V
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
off
Turn off Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Test Conditions
V
GE
= 0V,V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 18
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 18
Min
Typ
3600
160
150
90
550
130
180
100
650
180
6.5
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.6
1.6
2.2
V
F
Forward Voltage
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
I
F
= 50A
V
R
= 600V
di/dt =990A/μs
I
F
= 50A
V
R
= 600V
di/dt=990A/μs
V
E
rec
Reverse Recovery Energy
T
j
= 125°C
4
mJ
T
j
= 25°C
5.2
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
9.4
μC
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.45
0.75
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
2
3
150
125
125
3.5
5
180
°C
For terminals
To Heatsink
M5
M6
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
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PDF描述
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APTGT50A170B1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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