參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT75A170D1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg Trench IGBT Power Module
中文描述： 相腳溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： APTGT75A170D1
APTGT50A170D1
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1700
70
50
100
±20
310
100A@1700V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
2
1
3
5
Q2
7
6
Q1
4
6
7
5
4
3
2
1
V
CES
= 1700V
I
C
= 50A @ Tc = 80°C
Application
Features
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Phase leg
Trench IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT50DA170D1 Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DSK120T3 Dual Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DSK60T3 Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DU120T Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DU170T Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT75A170D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120T1G 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT75DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 110A 357W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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