參數(shù)資料
型號： APTGT450A60
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： APTGT450A60
APTGT450A60
A
P
T
G
T
450
A
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
200
400
600
800
1000
00.5
1
1.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
56
78
9
10
11
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
25
30
35
0
200
400
600
800
1000
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
101214
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 450A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
al
I
m
pe
da
n
c
e(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450DU60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450DU60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A170D1 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50A170D1 70 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT450A60G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
aptgt450a60t6g 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
APTGT450DA60G 功能描述:IGBT 600V 550A 1750W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT450DU60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT450DU60G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*