參數(shù)資料
型號： APTGT400U120D4
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-4
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 188K
代理商： APTGT400U120D4
APTGT400U120D4
A
PT
G
T
40
0U
12
0D
4
–
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 12mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
8
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 400A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 12mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
28
Coes
Output Capacitance
1.6
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
1.2
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
280
Tr
Rise Time
90
Td(off)
Turn-off Delay Time
550
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.8
130
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
300
Tr
Rise Time
100
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.8
180
ns
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.6
V
Erec
Reverse Recovery Energy
IF = 400A
VR = 600V
di/dt =900A/s
Tj = 125°C
34
mJ
Tj = 25°C
40
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 400A
VR = 600V
di/dt =900A/s Tj = 125°C
72
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.055
RthJC
Junction to Case
Diode
0.125
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M6
3
5
Torque Mounting torque
M4
1
2
N.m
Wt
Package Weight
420
g
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U170D4G 800 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT450DU60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT400U120D4G 功能描述:IGBT 1200V 600A 2250W D4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT400U170D4G 功能描述:IGBT 1700V 800A 2080W D4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT450A60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT450A60G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
aptgt450a60t6g 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
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