參數(shù)資料
型號： APTGT400A60D3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 210K
代理商： APTGT400A60D3G
APTGT400A60D3G
APT
G
T
400A60D3
G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
2- 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
500
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 400A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 6.4 mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
24
Coes
Output Capacitance
1.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.75
nF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=300A
VCE=300V
4.2
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
490
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 400A
RG = 1.5Ω
50
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
130
Tr
Rise Time
60
Td(off)
Turn-off Delay Time
530
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 400A
RG = 1.5Ω
70
ns
Tj = 25°C
3.2
Eon
Turn on Energy
Tj = 150°C
3.4
Tj = 25°C
15
Eoff
Turn off Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 400A
RG = 1.5Ω
Tj = 150°C
15.5
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
2000
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
500
IRRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 150°C
750
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
400
A
Tj = 25°C
1.6
2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 400A
VGE = 0V
Tj = 150°C
1.5
V
Tj = 25°C
125
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 150°C
180
ns
Tj = 25°C
18.8
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 150°C
39.5
C
Tj = 25°C
4.4
Err
Reverse Recovery Energy
IF = 400A
VR = 300V
di/dt =4800A/s
Tj = 150°C
9.6
mJ
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PDF描述
APTGT400DA120D3G IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT450A60 550 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT400DA120D3G 功能描述:IGBT 1200V 580A 2100W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGT400DA60D3G_11 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
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